Popis
STMicroelectronics STP17N80K5
Tranzistor N-MOSFET; MDmesh; unipolární; max. napětí Drain-Source 800V; max. napětí Gate-Source ±30V; max. proud Drainu 14A; max. ztrátový výkon 170W; odpor v sepnutém stavu 0,34; max. náboj hradla 26nC; pouzdro TO220; THT montáž do DPS; pracovní teplota -55÷150°C.
Doplňkové parametry
| Kategorie: | Unipolární tranzistory N-kanál |
|---|---|
| Pracovní napětí (V): | 800 |
| Pracovní proud (A): | 14 |
| Výkon (W): | 170 |
| Pouzdro: | TO220 |
| Montáž: | THT |
| max. napětí Gate (V): | ±30 |
