Popis
ON Semiconductor (Fairchild) J112
Tranzistor N-JFET; unipolární; max. napětí Drain-Source 35V; max. napětí Gate-Source ±35V; max. proud Drainu 0,005A; max. ztrátový výkon 0,35W; odpor v sepnutém stavu 50; max. náboj hradla 28pF; pouzdro TO92; THT montáž do DPS; pracovní teplota -55÷150°C.
Doplňkové parametry
| Kategorie: | Unipolární tranzistory N-kanál |
|---|---|
| Pracovní napětí (V): | 35 |
| Pracovní proud (A): | 0.005 |
| Výkon (W): | 0.35 |
| Pouzdro: | TO92 |
| Montáž: | THT |
| max. napětí Gate (V): | ±35 |
