Popis
Toshiba SSM3K333R
Tranzistor N-MOSFET; unipolární; max. napětí Drain-Source 30V; max. napětí Gate-Source ±20V; max. proud Drainu 6A; max. ztrátový výkon 1W; odpor v sepnutém stavu 0,025; max. náboj hradla 3,4nC; pouzdro SOT23F; SMD montáž na DPS; pracovní teplota -55÷150°C.
Výhody
- Antiparalelní dioda
- Vysokorychlostní
- Vhodné pro spínané aplikace
Doplňkové parametry
| Kategorie: | Unipolární tranzistory N-kanál |
|---|---|
| Pracovní napětí (V): | 30 |
| Pracovní proud (A): | 6 |
| Výkon (W): | 1 |
| Pouzdro: | SOT23F |
| Montáž: | SMD |
| max. napětí Gate (V): | ±20 |
