Popis
ONSEMI FGH60N60SMD
Tranzistor IGBT (napětím řízený bipolární tranzistor); bipolární; max. napětí Kolektor-Emitor 600V; max. napětí Gate-Emitor ±20V; max. proud Kolektoru 60A; max. ztrátový výkon 300W; pouzdro TO247; THT montáž do DPS; pracovní teplota -55÷175°C.
Doplňkové parametry
| Kategorie: | IGBT tranzistory |
|---|---|
| Pracovní napětí (V): | 600 |
| Pracovní proud (A): | 60 |
| Výkon (W): | 300 |
| Pouzdro: | TO247 |
| Montáž: | THT |
| max. napětí Gate (V): | ±20 |
