Popis
STMicroelectronics STGF10NB60SD
Tranzistor IGBT (napětím řízený bipolární tranzistor); bipolární; max. napětí Kolektor-Emitor 600V; max. napětí Gate-Emitor ±20V; max. proud Kolektoru 23A; max. ztrátový výkon 25W; pouzdro TO220FP; THT montáž do DPS; pracovní teplota -55÷150°C.
Doplňkové parametry
| Kategorie: | IGBT tranzistory |
|---|---|
| Pracovní napětí (V): | 600 |
| Pracovní proud (A): | 23 |
| Výkon (W): | 25 |
| Pouzdro: | TO220FP |
| Montáž: | THT |
