Popis
Vishay SI2319CDS-T1-GE3
Tranzistor P-MOSFET; unipolární; max. napětí Drain-Source 40V; max. napětí Gate-Source ±20V; max. proud Drainu 20A; max. ztrátový výkon 2,5W; odpor v sepnutém stavu 0,064; max. náboj hradla 13,6nC; pouzdro SOT23; SMD montáž na DPS; pracovní teplota -55÷150°C.
Doplňkové parametry
| Kategorie: | Unipolární tranzistory P-kanál |
|---|---|
| Pracovní napětí (V): | 40 |
| Pracovní proud (A): | 20 |
| Výkon (W): | 2.5 |
| Pouzdro: | SOT23 |
| Montáž: | SMD |
| max. napětí Gate (V): | ±20 |
