Popis
Infineon Technologies (IRF) IRLR2705TRPBF
Tranzistor N-MOSFET; HEXFET; unipolární; max. napětí Drain-Source 55V; max. napětí Gate-Source ±16V; max. proud Drainu 28A; max. ztrátový výkon 68W; odpor v sepnutém stavu 0,04; max. náboj hradla 25nC; pouzdro DPAK; SMD montáž na DPS; pracovní teplota -55÷175°C.
Doplňkové parametry
| Kategorie: | Unipolární tranzistory N-kanál |
|---|---|
| Pracovní napětí (V): | 55 |
| Pracovní proud (A): | 28 |
| Výkon (W): | 68 |
| Pouzdro: | DPAK |
| Montáž: | SMD |
| max. napětí Gate (V): | ±16 |
