Popis
Texas Instruments CSD18542KTTT
Tranzistor N-MOSFET; unipolární; max. napětí Drain-Source 60V; max. napětí Gate-Source ±20V; max. proud Drainu 170A (400A pulsně); max. ztrátový výkon 250W; odpor v sepnutém stavu 0,0033; max. náboj hradla 57nC; pouzdro TO263 (D2PAK); SMD montáž na DPS; pracovní teplota -55÷175°C.
Výhody
- Nízký odpor v sepnutém stavu 0,0033
- Rychlý
- Vhodné pro vysokoproudové a vysokovýkonové aplikace
Doplňkové parametry
| Kategorie: | Unipolární tranzistory N-kanál |
|---|---|
| Pracovní napětí (V): | 60 |
| Pracovní proud (A): | 170 |
| Výkon (W): | 250 |
| Pouzdro: | D2PAK |
| Montáž: | SMD |
| max. napětí Gate (V): | ±20 |
