Popis
Infineon (IRF) IRF640NPBF
Tranzistor N-MOSFET; HEXFET; unipolární; max. napětí Drain-Source 200V; max. napětí Gate-Source ±20V; max. proud Drainu 18A; max. ztrátový výkon 150W; odpor v sepnutém stavu 0,15; max. náboj hradla 44,7nC; pouzdro TO220AB; THT montáž do DPS; pracovní teplota -55÷150°C.
Doplňkové parametry
| Kategorie: | Unipolární tranzistory N-kanál |
|---|---|
| Pracovní napětí (V): | 200 |
| Pracovní proud (A): | 18 |
| Výkon (W): | 150 |
| Pouzdro: | TO220AB |
| Montáž: | THT |
| max. napětí Gate (V): | ±20 |
