Popis
Infineon Technologies IKW15N120H3 (K15H1203)
Tranzistor IGBT (napětím řízený bipolární tranzistor); bipolární; max. napětí Kolektor-Emitor 1200V; max. napětí Gate-Emitor ±20V; max. proud Kolektoru 30A; max. ztrátový výkon 217W; pouzdro TO247-3; THT montáž do DPS; pracovní teplota -40÷175°C.
Doplňkové parametry
| Kategorie: | IGBT tranzistory |
|---|---|
| Pracovní napětí (V): | 1200 |
| Pracovní proud (A): | 30 |
| Výkon (W): | 217 |
| Pouzdro: | TO247-3 |
| Montáž: | THT |
| max. napětí Gate (V): | ±20 |
| Položka byla vyprodána |
