Popis
Infineon Technologies IRFP250NPBF
Tranzistor N-MOSFET; unipolární; max. napětí Drain-Source 200V; max. napětí Gate-Source ±20V; max. proud Drainu 30A; max. ztrátový výkon 214W; odpor v sepnutém stavu 0,075; max. náboj hradla 123nC; pouzdro TO247AC; THT montáž do DPS; pracovní teplota -55÷175°C.
Doplňkové parametry
| Kategorie: | Unipolární tranzistory N-kanál |
|---|---|
| Pracovní napětí (V): | 200 |
| Pracovní proud (A): | 30 |
| Výkon (W): | 214 |
| Pouzdro: | TO247AC |
| Montáž: | THT |
| max. napětí Gate (V): | ±20 |
| Položka byla vyprodána |
