Popis
Infineon (IRF) IRLR3410PBF
Tranzistor N-MOSFET; HEXFET; unipolární; max. napětí Drain-Source 100V; max. napětí Gate-Source ±16V; max. proud Drainu 15A; max. ztrátový výkon 52W; odpor v sepnutém stavu 0,105; max. náboj hradla 34nC; pouzdro DPAK; SMD montáž na DPS; pracovní teplota -55÷175°C.
Doplňkové parametry
| Kategorie: | Unipolární tranzistory N-kanál |
|---|---|
| Pracovní napětí (V): | 100 |
| Pracovní proud (A): | 15 |
| Výkon (W): | 52 |
| Pouzdro: | DPAK |
| Montáž: | SMD |
| max. napětí Gate (V): | ±16 |
