Popis
Infineon Technologies IXFX100N65X2
Tranzistor N-MOSFET; unipolární; max. napětí Drain-Source 650V; max. napětí Gate-Source ±30V; max. proud Drainu 100A; max. ztrátový výkon 1040W; odpor v sepnutém stavu 0,03; pouzdro TO247PLUS; THT montáž do DPS; pracovní teplota -55÷150°C.
Doplňkové parametry
| Kategorie: | Unipolární tranzistory N-kanál |
|---|---|
| Pracovní napětí (V): | 650 |
| Pracovní proud (A): | 100 |
| Výkon (W): | 1040 |
| Pouzdro: | TO247 PLUS |
| Montáž: | THT |
| max. napětí Gate (V): | ±30 |
